Об­ъем­ные оп­ти­че­ские по­кры­тия из ха­ль­ко­ге­ни­д­ных сте­кол для по­лу­про­во­д­ни­ко­вых ис­то­ч­ни­ков ИК-из­лу­че­ния

• Datum: 2009
• 1. Verfasser: Kabatsiy, V. М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Schlagworte: полупроводниковые источники ИК–излучения; излучающие активные элементы; халькогенидные сте­к­ла; на­не­се­ние оптических покрытий
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of vari...