Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of vari...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543913567846400 |
|---|---|
| author | Kabatsiy, V. М. |
| author_facet | Kabatsiy, V. М. |
| author_sort | Kabatsiy, V. М. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-11-30T21:20:59Z |
| description | The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:29Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-651 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:29Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6512025-11-30T21:20:59Z Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения Kabatsiy, V. М. semiconductor sources of IR radiation active emitting elements chalcogenide glass optical coatings полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation. Показана возможность использования многокомпонентных халькогенидных стекол Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) в качестве диэлектрических материалов для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре в спектральном диапазоне 2,5—5,0 мкм. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Используя такие оптические покрытия, удается сузить диаграмму направленности вдоль оси излучения активного элемента до 15° и увеличить мощность его излучения в 3—4 раза. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 38-44 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 38-44 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38/593 Copyright (c) 2009 Kabatsiy V. М. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий Kabatsiy, V. М. Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_alt | Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation |
| title_full | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_fullStr | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_full_unstemmed | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_short | Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_sort | объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ик-излучения |
| topic | полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий |
| topic_facet | semiconductor sources of IR radiation active emitting elements chalcogenide glass optical coatings полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 |
| work_keys_str_mv | AT kabatsiyvm opticalchalcogenideglasscoatsforsemiconductorsourcesofirradiation AT kabatsiyvm obʺemnyeoptičeskiepokrytiâizhalʹkogenidnyhstekoldlâpoluprovodnikovyhistočnikovikizlučeniâ |