Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of vari...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-651 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-6512025-11-30T21:20:59Z Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения Kabatsiy, V. М. semiconductor sources of IR radiation active emitting elements chalcogenide glass optical coatings полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation. Показана возможность использования многокомпонентных халькогенидных стекол Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) в качестве диэлектрических материалов для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре в спектральном диапазоне 2,5—5,0 мкм. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Используя такие оптические покрытия, удается сузить диаграмму направленности вдоль оси излучения активного элемента до 15° и увеличить мощность его излучения в 3—4 раза. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 38-44 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 38-44 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38/593 Copyright (c) 2009 Kabatsiy V. М. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-30T21:20:59Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий |
| spellingShingle |
полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий Kabatsiy, V. М. Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| topic_facet |
semiconductor sources of IR radiation active emitting elements chalcogenide glass optical coatings полупроводниковые источники ИК–излучения излучающие активные элементы халькогенидные стекла нанесение оптических покрытий |
| format |
Article |
| author |
Kabatsiy, V. М. |
| author_facet |
Kabatsiy, V. М. |
| author_sort |
Kabatsiy, V. М. |
| title |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_short |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_full |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_fullStr |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_full_unstemmed |
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения |
| title_sort |
объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ик-излучения |
| title_alt |
Optical chalcogenide glass coats for semiconductor sources of IR-radiation |
| description |
The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of various shapes has been developed. It is possible to narrow the diagram of direction along the radiating axis of the active elements to 15° and increase three or four times the capacity of its radiation. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2009 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 |
| work_keys_str_mv |
AT kabatsiyvm opticalchalcogenideglasscoatsforsemiconductorsourcesofirradiation AT kabatsiyvm obʺemnyeoptičeskiepokrytiâizhalʹkogenidnyhstekoldlâpoluprovodnikovyhistočnikovikizlučeniâ |
| first_indexed |
2025-12-02T15:19:29Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:19:29Z |
| _version_ |
1850410291083345920 |