Об­ъем­ные оп­ти­че­ские по­кры­тия из ха­ль­ко­ге­ни­д­ных сте­кол для по­лу­про­во­д­ни­ко­вых ис­то­ч­ни­ков ИК-из­лу­че­ния

• Дата: 2009
• Автор: Kabatsiy, V. М.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Теми: полупроводниковые источники ИК–излучения; излучающие активные элементы; халькогенидные сте­к­ла; на­не­се­ние оптических покрытий
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of vari...