Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
The article demonstrates the possibility of using the multi component chalcogenide glasses Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) as dielectric materials for optical covering of semiconductor radiating active elements which function in the spectral diapason 2,5—5,0 mkm. An effective way to put optical covering of vari...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Author: | Kabatsiy, V. М. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
by: Lavrich, Yu. N., et al.
Published: (2014) -
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009) -
CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
by: Trofimov, V. E., et al.
Published: (2016) -
Обеспечение заданной длины проводников в САПР TopoR
by: Lysenko, A. A., et al.
Published: (2009) -
Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока
by: Sidorets, V. N., et al.
Published: (2014)