Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Novosyadlyi, S. P., Vivcharuk, V. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Schlagworte: микроэлектроника; пористый кремний,; эпитаксия; изоляция
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS...