Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)

The paper analyzes the reasons and factors that allow avoiding faceting of non-oriented linear zones. It is shown that in the manufacture of semiconductor chips with a large perimeter and a reverse voltage of 2000 V, the conditions sine qua non to create isolating walls on silicon wafers with an ori...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2021
Автори:	Polukhin, Оlекsіі, Kravchina, Vitalii
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
Теми:	ізоляція кристалографічна орієнтація рідкі лінійні зони Al Si силові напівпровідникові прилади термоміграція температура
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.33
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-70
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-702025-05-30T19:23:34Z Thermomigration of non-oriented aluminium-rich liquid zones through (110) silicon wafers Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110) Polukhin, Оlекsіі Kravchina, Vitalii temperature gradient through insulation liquid linear zones Al Si power semiconductor devices thermomigration ізоляція кристалографічна орієнтація рідкі лінійні зони Al Si силові напівпровідникові прилади термоміграція температура The paper analyzes the reasons and factors that allow avoiding faceting of non-oriented linear zones. It is shown that in the manufacture of semiconductor chips with a large perimeter and a reverse voltage of 2000 V, the conditions sine qua non to create isolating walls on silicon wafers with an orientation different from (111) are to form an ensemble of linear zones by the method of high-temperature selective forced wetting (HSV) and to fulfill a number of requirements to the “thermomigration” photomask and zones immersion stage during TM at high temperatures. It is shown that these factors provide a stable migration of an ensemble of linear zones through wafers (110) even in a stationary temperature gradient field.For the first time in the world, the authors practically demonstrate the possibility of stable migration of an ensemble of non-oriented linear zones through silicon (110) in a stationary temperature gradient conditions, outlining the conditions and factors necessary for this process. It is assumed that when the conditions for the formation of linear zones and their immersion are met, the crystallographic orientation of the silicon wafers does not matter at all. Проведено пошук умов стабільної міграції лінійних зон крізь кремнієві пластини з орієнтацією (110), дослідження впливу товщини зон, технологічних режимів їх занурення й інших супутніх чинників на стабільність міграції. Проаналізовано причини фасетування лінійних зон і чинники, які дозволяють цього уникнути. Показано, що при виготовленні чипів напівпровідникових структур з великим периметром зі зворотною напругою 2000 В необхідним для створення областей ізоляції в кремнії з орієнтацією, відмінною від (111), є формування ансамблю лінійних зон методом високотемпературного вибіркового примусового змочування, виконання низки вимог до фотошаблону «термоміграція», до процесу занурювання зон за високої температури під час термоміграції. Об’єднання визначених чинників дозволяє проводити стабільну термоміграцію на пластинах кремнію з орієнтацією (110) навіть в стаціонарному полі градієнта температури. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.33 10.15222/TKEA2021.5-6.33 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2021): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 33-40 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2021): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 33-40 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2021.5-6 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.33/63 Copyright (c) 2021 Polukhin O. S., Kravchina V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-05-30T19:23:34Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	ізоляція кристалографічна орієнтація рідкі лінійні зони Al Si силові напівпровідникові прилади термоміграція температура
spellingShingle	ізоляція кристалографічна орієнтація рідкі лінійні зони Al Si силові напівпровідникові прилади термоміграція температура Polukhin, Оlекsіі Kravchina, Vitalii Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
topic_facet	temperature gradient through insulation liquid linear zones Al Si power semiconductor devices thermomigration ізоляція кристалографічна орієнтація рідкі лінійні зони Al Si силові напівпровідникові прилади термоміграція температура
format	Article
author	Polukhin, Оlекsіі Kravchina, Vitalii
author_facet	Polukhin, Оlекsіі Kravchina, Vitalii
author_sort	Polukhin, Оlекsіі
title	Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
title_short	Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
title_full	Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
title_fullStr	Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
title_full_unstemmed	Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
title_sort	термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон al-si крізь пластини кремнію (110)
title_alt	Thermomigration of non-oriented aluminium-rich liquid zones through (110) silicon wafers
description	The paper analyzes the reasons and factors that allow avoiding faceting of non-oriented linear zones. It is shown that in the manufacture of semiconductor chips with a large perimeter and a reverse voltage of 2000 V, the conditions sine qua non to create isolating walls on silicon wafers with an orientation different from (111) are to form an ensemble of linear zones by the method of high-temperature selective forced wetting (HSV) and to fulfill a number of requirements to the “thermomigration” photomask and zones immersion stage during TM at high temperatures. It is shown that these factors provide a stable migration of an ensemble of linear zones through wafers (110) even in a stationary temperature gradient field.For the first time in the world, the authors practically demonstrate the possibility of stable migration of an ensemble of non-oriented linear zones through silicon (110) in a stationary temperature gradient conditions, outlining the conditions and factors necessary for this process. It is assumed that when the conditions for the formation of linear zones and their immersion are met, the crystallographic orientation of the silicon wafers does not matter at all.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2021
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.33
work_keys_str_mv	AT polukhinoleksíí thermomigrationofnonorientedaluminiumrichliquidzonesthrough110siliconwafers AT kravchinavitalii thermomigrationofnonorientedaluminiumrichliquidzonesthrough110siliconwafers AT polukhinoleksíí termomígracíâdovílʹnooríêntovanihrídkihlíníjnihzonalsikrízʹplastinikremníû110 AT kravchinavitalii termomígracíâdovílʹnooríêntovanihrídkihlíníjnihzonalsikrízʹplastinikremníû110
first_indexed	2025-09-24T17:30:20Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:20Z
_version_	1850410205974626304

Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)

Репозитарії

Схожі ресурси