Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
It has been established that in the γ‑irradiated sample of chalcogenide glass with the composition Ge15,8As21S63,2, a radiation‑induced reduction in the fragility of the structural network takes place. Based on the results obtained, it is concluded that radiation modification of chalcogenide glass l...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.58 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Кавецкий, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011) -
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Kabatsiy, V. М.
Veröffentlicht: (2009)