Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
It has been established that in the γ‑irradiated sample of chalcogenide glass with the composition Ge15,8As21S63,2, a radiation‑induced reduction in the fragility of the structural network takes place. Based on the results obtained, it is concluded that radiation modification of chalcogenide glass l...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.58 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008) -
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Bletskan, D. I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011) -
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Kabatsiy, V. М.
Опубліковано: (2009)