Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V

The results of a phenomenological study based on the in-situ method of UV spectroscopy of the gas-phase composition in the source regions of GaAs, GaP, In, Ga, and In/Ga in a horizontal flow reactor are described. The experimental results are used to analyze the growth process of GaAs:Bi, GaAs1–хPх,...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2008
Hauptverfasser: Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.36
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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