Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
A structure of a system for converting topological information for digital lithography is proposed. A method for forming local three-dimensional SOI (Silicon-on-Insulator) structures has been developed, which makes it possible to create both planar and three-dimensional device elements and contacts....
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543929022808064 |
|---|---|
| author | Druzhynin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Sapon, S. V. Khoverko, Yu. M. |
| author_facet | Druzhynin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Sapon, S. V. Khoverko, Yu. M. |
| author_sort | Druzhynin, А. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-28T14:09:55Z |
| description | A structure of a system for converting topological information for digital lithography is proposed. A method for forming local three-dimensional SOI (Silicon-on-Insulator) structures has been developed, which makes it possible to create both planar and three-dimensional device elements and contacts. On the SOI structures, a control high-voltage MOS transistor and a memory cell with a signal shaper for storing topological information have been designed. Expert optimization of the memory cell topology has made it possible to significantly reduce its area compared to that of a cell fabricated using standard n-channel MOS technology. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:02Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-727 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:02Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7272025-12-28T14:09:55Z Instrumental and technological modeling of autoemission silicon microcathodes Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов Druzhynin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Sapon, S. V. Khoverko, Yu. M. digital lithography autoemission microcathode stable autoemission local structures silicon-on-insulator electrical circuit цифровая литография автоэмиссионный микрокатод стабильная автоэмиссия локальные структуры “кремний-на-изоляторе” электрическая схема A structure of a system for converting topological information for digital lithography is proposed. A method for forming local three-dimensional SOI (Silicon-on-Insulator) structures has been developed, which makes it possible to create both planar and three-dimensional device elements and contacts. On the SOI structures, a control high-voltage MOS transistor and a memory cell with a signal shaper for storing topological information have been designed. Expert optimization of the memory cell topology has made it possible to significantly reduce its area compared to that of a cell fabricated using standard n-channel MOS technology. Предложена структура системы преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработан метод формирования локальных трехмерных КНИ-структур, который позволяет создавать как планарные, так и трехмерные приборные элементы и контакты. На КНИ-структурах разработан управляющий высоковольтный МОП-транзистор и ячейка памяти с формирователем сигналов для хранения топологической информации. Экспертная оптимизация топологии ячейки памяти позволила значительно уменьшить ее площадь по сравнению с площадью ячейки, изготовленной по стандартной n-канальной МОП-технологии. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 43-49 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 43-49 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43/660 Copyright (c) 2008 Druzhynin А. A., Holota V. I., Kogut I. T., Sapon S. V., Khoverko Yu. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | цифровая литография автоэмиссионный микрокатод стабильная автоэмиссия локальные структуры “кремний-на-изоляторе” электрическая схема Druzhynin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Sapon, S. V. Khoverko, Yu. M. Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title | Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_alt | Instrumental and technological modeling of autoemission silicon microcathodes |
| title_full | Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_fullStr | Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_full_unstemmed | Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_short | Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_sort | приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| topic | цифровая литография автоэмиссионный микрокатод стабильная автоэмиссия локальные структуры “кремний-на-изоляторе” электрическая схема |
| topic_facet | digital lithography autoemission microcathode stable autoemission local structures silicon-on-insulator electrical circuit цифровая литография автоэмиссионный микрокатод стабильная автоэмиссия локальные структуры “кремний-на-изоляторе” электрическая схема |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43 |
| work_keys_str_mv | AT druzhyninaa instrumentalandtechnologicalmodelingofautoemissionsiliconmicrocathodes AT holotavi instrumentalandtechnologicalmodelingofautoemissionsiliconmicrocathodes AT kogutit instrumentalandtechnologicalmodelingofautoemissionsiliconmicrocathodes AT saponsv instrumentalandtechnologicalmodelingofautoemissionsiliconmicrocathodes AT khoverkoyum instrumentalandtechnologicalmodelingofautoemissionsiliconmicrocathodes AT druzhyninaa pribornotehnologičeskoemodelirovanieavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT holotavi pribornotehnologičeskoemodelirovanieavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT kogutit pribornotehnologičeskoemodelirovanieavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT saponsv pribornotehnologičeskoemodelirovanieavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT khoverkoyum pribornotehnologičeskoemodelirovanieavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov |