Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

• Date: 2008
• Main Authors: Druzhynin, А. A., Holota, V. I., Kogut, I. T., Sapon, S. V., Khoverko, Yu. M.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
• Subjects: цифровая литография; автоэмиссионный микрокатод; стабильная автоэмиссия; локальные структуры; “кремний-на-изоляторе”; электрическая схема
• Online Access: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43
• Journal Title: Technology and design in electronic equipment

A structure of a system for converting topological information for digital lithography is proposed. A method for forming local three-dimensional SOI (Silicon-on-Insulator) structures has been developed, which makes it possible to create both planar and three-dimensional device elements and contacts....