Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Druzhynin, А. A., Holota, V. I., Kogut, I. T., Sapon, S. V., Khoverko, Yu. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
• Schlagworte: цифровая литография; автоэмиссионный микрокатод; стабильная автоэмиссия; локальные структуры; “кремний-на-изоляторе”; электрическая схема
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A structure of a system for converting topological information for digital lithography is proposed. A method for forming local three-dimensional SOI (Silicon-on-Insulator) structures has been developed, which makes it possible to create both planar and three-dimensional device elements and contacts....