Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
The results of a study of the optical emission of discharge plasma in the wavelength range of 350–820 nm and the discharge voltage of an inverted cylindrical magnetron under various flows of reactive gases (N₂, O₂) are presented. The variation in discharge voltage exhibits features that can be corre...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.47 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543931031879680 |
|---|---|
| author | Kostin, E. G. Demchyshyn, A. V. |
| author_facet | Kostin, E. G. Demchyshyn, A. V. |
| author_sort | Kostin, E. G. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-04T20:13:39Z |
| description | The results of a study of the optical emission of discharge plasma in the wavelength range of 350–820 nm and the discharge voltage of an inverted cylindrical magnetron under various flows of reactive gases (N₂, O₂) are presented. The variation in discharge voltage exhibits features that can be correlated with the composition of the films and with the changes in the intensity of spectral lines of titanium atoms and molecules of the reactive gases. It is shown that the deposition regime of TiN and TiO₂ films can be monitored both by the intensity of plasma-emitted lines of Ti, N₂, and O₂, and by measuring the discharge voltage. Optical monitoring of several components of the gaseous medium simultaneously is more informative. The optimal conditions for synthesizing stoichiometric TiN and TiO₂ films have been determined. X-ray phase analysis was carried out, and the microhardness of TiN films and the refractive index of TiO₂ films obtained under optimal conditions were measured. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:04Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-746 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:04Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7462026-01-04T20:13:39Z Deposition of TiN and TiO₂ films in an inverted cylindrical magnetron by reactive sputtering Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления Kostin, E. G. Demchyshyn, A. V. reactive sputtering magnetron optical radiation of plasma TiN films TiO2 films реактивное распыление магнетрон оптическое излучение плазмы пленки TiN пленки TiO2 The results of a study of the optical emission of discharge plasma in the wavelength range of 350–820 nm and the discharge voltage of an inverted cylindrical magnetron under various flows of reactive gases (N₂, O₂) are presented. The variation in discharge voltage exhibits features that can be correlated with the composition of the films and with the changes in the intensity of spectral lines of titanium atoms and molecules of the reactive gases. It is shown that the deposition regime of TiN and TiO₂ films can be monitored both by the intensity of plasma-emitted lines of Ti, N₂, and O₂, and by measuring the discharge voltage. Optical monitoring of several components of the gaseous medium simultaneously is more informative. The optimal conditions for synthesizing stoichiometric TiN and TiO₂ films have been determined. X-ray phase analysis was carried out, and the microhardness of TiN films and the refractive index of TiO₂ films obtained under optimal conditions were measured. Представлены результаты исследования оптического излучения разрядной плазмы в диапазоне волн 350 – 820 нм и напряжения разряда обращенного цилиндрического магнетрона при различных потоках реактивных газов (N2, О2). Изменение величины разрядного напряжения имеет особенности, которые можно сопоставить с составом пленок и с характером изменения интенсивности спектральных линий атомов титана и молекул реагирующих газов. Показано, что контроль режима осаждения пленок TiN и TiO2 можно проводить как по интенсивности излучаемых плазмой линий Ti, N2, О2, так и с помощью измерения разрядного напряжения Оптический контроль одновременно нескольких компонентов газовой среды является более информативным. Определены оптимальные условия синтеза пленок TiN и TiO2 стехиометрического состава. Проведен рентгенофазовый анализ, измерена микротвердость пленок TiN и показатель преломления пленок TiO2, полученных в оптимальных условиях. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.47 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 47-51 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 47-51 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.47/675 Copyright (c) 2008 Kostin E. G., Demchyshyn A. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | реактивное распыление магнетрон оптическое излучение плазмы пленки TiN пленки TiO2 Kostin, E. G. Demchyshyn, A. V. Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| title | Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| title_alt | Deposition of TiN and TiO₂ films in an inverted cylindrical magnetron by reactive sputtering |
| title_full | Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| title_fullStr | Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| title_full_unstemmed | Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| title_short | Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| title_sort | осаждение пленок tin и tio2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления |
| topic | реактивное распыление магнетрон оптическое излучение плазмы пленки TiN пленки TiO2 |
| topic_facet | reactive sputtering magnetron optical radiation of plasma TiN films TiO2 films реактивное распыление магнетрон оптическое излучение плазмы пленки TiN пленки TiO2 |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.47 |
| work_keys_str_mv | AT kostineg depositionoftinandtio2filmsinaninvertedcylindricalmagnetronbyreactivesputtering AT demchyshynav depositionoftinandtio2filmsinaninvertedcylindricalmagnetronbyreactivesputtering AT kostineg osaždenieplenoktinitio2vobraŝennomcilindričeskommagnetronemetodomreaktivnogoraspyleniâ AT demchyshynav osaždenieplenoktinitio2vobraŝennomcilindričeskommagnetronemetodomreaktivnogoraspyleniâ |