Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

The dependence of the reverse recovery time (trr) on the annealing parameters of diode structures after electron irradiation with energies of 4 and 10 MeV and fluences of 6·1015 sm–2 and 8·1014 sm–2, respectively, has been investigated. Diodes with the minimum trr and maximum recovery curr...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Gorban, A. N., Kravchina, V. V., Gomolsky, D. M., Solodovnic, A. I.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.36
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси