Зображення обкладинки

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

The dependence of the reverse recovery time (trr) on the annealing parameters of diode structures after electron irradiation with energies of 4 and 10 MeV and fluences of 6·1015 sm–2 and 8·1014 sm–2, respectively, has been investigated. Diodes with the minimum trr and maximum recovery curr...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Gorban, A. N., Kravchina, V. V., Gomolsky, D. M., Solodovnic, A. I.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	диод облучение электронами флюэнс время восстановления скорость эмиссии энергия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.36
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Pavljuk, S. P., та інші
Опубліковано: (2007)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Феноменологическая теория релаксации в двухподрешеточном феррите
за авторством: Bar’yakhtar, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Компьютерная система отбора кремниевых диодов для генераторов случайных числовых последовательностей
за авторством: Baranouski, А. K., та інші
Опубліковано: (2006)

Компьютерная система отбора кремниевых диодов для генераторов случайных числовых последовательностей
за авторством: Барановский, О.К., та інші
Опубліковано: (2006)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)

МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНЫХ РАЗРЯДНЫХ ИМПУЛЬСОВ С ПОВЫШЕННОЙ СКОРОСТЬЮ НАРАСТАНИЯ ТОКОВ В НАГРУЗКЕ
за авторством: Супруновская, Н.И.
Опубліковано: (2012)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

УПРАВЛЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ НА СКОЛЬЗЯЩИХ РЕЖИМАХ В БАЗИСЕ ЭНЕРГИЙ
за авторством: Скурятин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

АЛГОРИТМИ ЧИСЛОВОГО ВИЗНАЧЕННЯ ЧАСОВИХ ХАРАКТЕРИСТИК СИГНАЛІВ АКУСТИЧНОЇ ЕМІСІЇ
за авторством: Гук, Виталий Иванович, та інші
Опубліковано: (2012)

Диодный сенсор температуры: анализ приборной погрешности измерения
за авторством: Ivashchenko, A. N., та інші
Опубліковано: (2005)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
за авторством: Ivanchykau, A. E., та інші
Опубліковано: (2009)

Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
за авторством: Kolodiy, Z. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2010)

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПОВЫШЕНИЯ СКОРОСТИ НАРАСТАНИЯ РАЗРЯДНЫХ ТОКОВ В НАГРУЗКЕ ПРИ ОГРАНИЧЕНИИ ИХ МАКСИМАЛЬНЫХ ЗНАЧЕНИЙ
за авторством: Щерба, A.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
за авторством: Pagava, T. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)

Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)

Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
за авторством: Pagava, T. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок
за авторством: Dushkin, S. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Расчет характеристик рентгеновского излучения
за авторством: Dushkin, S. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)