Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников

A method has been developed for the rapid determination of charge transport parameters in dosimetric γ-radiation detectors based on high-resistivity semiconductors. The problem of calculating charge transport parameters in planar γ-radiation detectors based on semi-insulating CdTe (CdZnTe) using the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2008
Hauptverfasser: Zakharchenko, A. A., Prokhoretz, I. M., Kutny, V. E., Rybka, A. V., Khazhmuradov, M. A.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge