Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
The paper presents the results of a study of a photovoltaic effect observed at room temperature, which is accompanied by a change in the sign of the photocurrent when transitioning from the region of intrinsic absorption to the impurity region within the spectral range of 0.4–2 μm in an oxygen‑doped...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.27 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотовольтаический эффект в оптически активных кристаллах
за авторством: Каримов, Б.Х.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Каримов, Б.Х.
Опубліковано: (2006)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Аномальный магнетизм соединения YbPb₃: эффект давления
за авторством: Барановский, А.Е., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Барановский, А.Е., та інші
Опубліковано: (2007)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)
Аномальный размерный эффект в проводимости пленок висмута малой толщины
за авторством: Анопченко, А.С., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Анопченко, А.С., та інші
Опубліковано: (1995)
Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный скин-эффект в магнитном поле: зависимость от формы поверхности Ферми
за авторством: Цымбал, Л.Т., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Цымбал, Л.Т., та інші
Опубліковано: (1998)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2010)
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2010)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Критическое состояние в низкоразмерных сверхпроводниках с краевым барьером
за авторством: Айнбиндер, Р.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Айнбиндер, Р.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010)
Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
за авторством: Король, А.Н., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Король, А.Н., та інші
Опубліковано: (2000)
Аномальный теплоперенос в двух полиморфах пара-бромбензофенона
за авторством: Романцова, O.O., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Романцова, O.O., та інші
Опубліковано: (2017)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)
Тонкая структура в электронной плотности состояний, парамагнитные примеси и аномальный изотопический эффект для Tc в системах LSCO:Fe
за авторством: Жернов, А.П.
Опубліковано: (1996)
за авторством: Жернов, А.П.
Опубліковано: (1996)
Аномальный диамагнетизм в сплавах алюминий–литий
за авторством: Десненко, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Десненко, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием
за авторством: Гладченко, С.П., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Гладченко, С.П., та інші
Опубліковано: (2003)
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
за авторством: Алисултанов, З.З., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Алисултанов, З.З., та інші
Опубліковано: (2014)
Аномальный диамагнетизм в интерметаллических соединениях CaPb₃ и YbPb₃
за авторством: Барановский, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Барановский, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Наблюдение экстремального увеличения сверпроводящих параметров внутреннего слоя Nb/AI в ниобиевых структурах с двойным туннельным барьером
за авторством: Невирковец, И.П., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Невирковец, И.П., та інші
Опубліковано: (1995)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)