Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
The paper presents the results of a study of a photovoltaic effect observed at room temperature, which is accompanied by a change in the sign of the photocurrent when transitioning from the region of intrinsic absorption to the impurity region within the spectral range of 0.4–2 μm in an oxygen‑doped...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.27 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Фотовольтаический эффект в оптически активных кристаллах
by: Каримов, Б.Х.
Published: (2006)
by: Каримов, Б.Х.
Published: (2006)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2007)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2007)
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2012)
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2012)
Аномальный магнетизм соединения YbPb₃: эффект давления
by: Барановский, А.Е., et al.
Published: (2007)
by: Барановский, А.Е., et al.
Published: (2007)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)
Аномальный размерный эффект в проводимости пленок висмута малой толщины
by: Анопченко, А.С., et al.
Published: (1995)
by: Анопченко, А.С., et al.
Published: (1995)
Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
by: Пашаев, И.Г.
Published: (2012)
by: Пашаев, И.Г.
Published: (2012)
Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
by: Подъячий, В.И.
Published: (2015)
by: Подъячий, В.И.
Published: (2015)
Аномальный скин-эффект в магнитном поле: зависимость от формы поверхности Ферми
by: Цымбал, Л.Т., et al.
Published: (1998)
by: Цымбал, Л.Т., et al.
Published: (1998)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2010)
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2010)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2010)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2010)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2010)
Критическое состояние в низкоразмерных сверхпроводниках с краевым барьером
by: Айнбиндер, Р.М., et al.
Published: (2007)
by: Айнбиндер, Р.М., et al.
Published: (2007)
Аномальный теплоперенос в двух полиморфах пара-бромбензофенона
by: Романцова, O.O., et al.
Published: (2017)
by: Романцова, O.O., et al.
Published: (2017)
Аномальный диамагнетизм в сплавах алюминий–литий
by: Десненко, В.А., et al.
Published: (2004)
by: Десненко, В.А., et al.
Published: (2004)
Тонкая структура в электронной плотности состояний, парамагнитные примеси и аномальный изотопический эффект для Tc в системах LSCO:Fe
by: Жернов, А.П.
Published: (1996)
by: Жернов, А.П.
Published: (1996)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
by: Кісельов, Є.М.
Published: (2013)
by: Кісельов, Є.М.
Published: (2013)
Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
by: Король, А.Н., et al.
Published: (2000)
by: Король, А.Н., et al.
Published: (2000)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2012)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2012)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием
by: Гладченко, С.П., et al.
Published: (2003)
by: Гладченко, С.П., et al.
Published: (2003)
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
by: Алисултанов, З.З., et al.
Published: (2014)
by: Алисултанов, З.З., et al.
Published: (2014)
Аномальный диамагнетизм в интерметаллических соединениях CaPb₃ и YbPb₃
by: Барановский, А.Е., et al.
Published: (2003)
by: Барановский, А.Е., et al.
Published: (2003)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Баранов, В.В., et al.
Published: (2007)
by: Баранов, В.В., et al.
Published: (2007)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
by: Ануфриев, Л.П., et al.
Published: (2005)
by: Ануфриев, Л.П., et al.
Published: (2005)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
Similar Items
-
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008) -
Фотовольтаический эффект в оптически активных кристаллах
by: Каримов, Б.Х.
Published: (2006) -
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006) -
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006) -
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)