Buchumschlag

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта

The paper presents the results of a study of a photovoltaic effect observed at room temperature, which is accompanied by a change in the sign of the photocurrent when transitioning from the region of intrinsic absorption to the impurity region within the spectral range of 0.4–2 μm in an oxygen‑doped...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фотовольтаический эффект в оптически активных кристаллах
von: Каримов, Б.Х.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Аномальный магнетизм соединения YbPb₃: эффект давления
von: Барановский, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
von: Пашаев, И.Г.
Veröffentlicht: (2012)

Аномальный размерный эффект в проводимости пленок висмута малой толщины
von: Анопченко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
von: Подъячий, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2010)

Аномальный скин-эффект в магнитном поле: зависимость от формы поверхности Ферми
von: Цымбал, Л.Т., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2010)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Критическое состояние в низкоразмерных сверхпроводниках с краевым барьером
von: Айнбиндер, Р.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)

Аномальный теплоперенос в двух полиморфах пара-бромбензофенона
von: Романцова, O.O., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
von: Король, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Аномальный диамагнетизм в сплавах алюминий–литий
von: Десненко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Тонкая структура в электронной плотности состояний, парамагнитные примеси и аномальный изотопический эффект для Tc в системах LSCO:Fe
von: Жернов, А.П.
Veröffentlicht: (1996)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
von: Алисултанов, З.З., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Аномальный диамагнетизм в интерметаллических соединениях CaPb₃ и YbPb₃
von: Барановский, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием
von: Гладченко, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)