Buchumschlag

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта

The paper presents the results of a study of a photovoltaic effect observed at room temperature, which is accompanied by a change in the sign of the photocurrent when transitioning from the region of intrinsic absorption to the impurity region within the spectral range of 0.4–2 μm in an oxygen‑doped...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотовольтаический эффект в оптически активных кристаллах
von: Каримов, Б.Х.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Нелинейный анализ смесителей миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки
von: Подъячий, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Термодинамический аномальный эффект Холла: квантовый режим
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Аномальный магнетизм соединения YbPb₃: эффект давления
von: Барановский, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотовольтаический эффект в сегнетоэлектрике SbSJ и пироэлектрике ZnO
von: Каримов, Б.Х.
Veröffentlicht: (2008)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Аномальный размерный эффект в проводимости пленок висмута малой толщины
von: Анопченко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
von: Пашаев, И.Г.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
von: Подъячий, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Аномальный скин-эффект в магнитном поле: зависимость от формы поверхности Ферми
von: Цымбал, Л.Т., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2010)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2010)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Критическое состояние в низкоразмерных сверхпроводниках с краевым барьером
von: Айнбиндер, Р.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)

Аномальный теплоперенос в двух полиморфах пара-бромбензофенона
von: Романцова, O.O., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Аномальный диамагнетизм в сплавах алюминий–литий
von: Десненко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Тонкая структура в электронной плотности состояний, парамагнитные примеси и аномальный изотопический эффект для Tc в системах LSCO:Fe
von: Жернов, А.П.
Veröffentlicht: (1996)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)

Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
von: Король, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
von: Мамедов, А.К.
Veröffentlicht: (2003)

Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием
von: Гладченко, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
von: Алисултанов, З.З., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Аномальный диамагнетизм в интерметаллических соединениях CaPb₃ и YbPb₃
von: Барановский, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)