Buchumschlag

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

The influence of deposition conditions on the nucleation process, structure, and electrophysical properties of oxygen‑doped polycrystalline silicon (ODPS) films has been investigated. At an oxygen content of 2.5–22.0 at.%, ODPS exhibits a quasi‑crystalline structure. The density of ODPS across the e...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
1. Verfasser:	Turtsevich, A. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Djanghidze, L. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование рабочих характеристик тепловых труб для светодиодных осветительных приборов
von: Lozovoi, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Система управления тепловыми режимами электронных приборов
von: Tsevukh, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

РАЗВИТИЕ ПРИНЦИПОВ ПОСТРОЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
von: Таранов , С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Druzhynin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЛИНИЙ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
von: Розов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫХ УСТАНОВОК, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭКЗОТЕРМИЧЕСКИЕ ДИСПЕРСНЫЕ СРЕДЫ
von: Вовченко , А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ КОНТУРНОГО ЭКРАНИРОВАНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КАБЕЛЬНЫХ ЛИНИЙ
von: Розов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
von: Iermolenko, Ia. O.
Veröffentlicht: (2014)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

ОЦЕНКА РЕСУРСА ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ИСПЫТАНИЙ НА ПЕРЕМЕННОМ НАПРЯЖЕНИИ
von: Бутко, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)