Buchumschlag

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

The influence of deposition conditions on the nucleation process, structure, and electrophysical properties of oxygen‑doped polycrystalline silicon (ODPS) films has been investigated. At an oxygen content of 2.5–22.0 at.%, ODPS exhibits a quasi‑crystalline structure. The density of ODPS across the e...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
1. Verfasser:	Turtsevich, A. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Schlagworte:	полуизолирующий кремний структура зародышеобразование осаждение
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.35
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Турцевич, А.С.
Veröffentlicht: (2008)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Krapivko, H. I.
Veröffentlicht: (2005)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза
von: Сивков, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение профилированных слитков кремния для солнечной энергетики
von: Никитенко, Ю.А.
Veröffentlicht: (2011)

Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана
von: Ивженко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Djanghidze, L. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Svetlichnaya, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
von: Belousov, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование высокоплотной структуры самосвязанного карбида кремния
von: Майстренко, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)