Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
The results of the development and implementation of a basic phosphorus diffusion process for the formation of the active region of a power silicon transistor are presented. It is shown that the obtained optimal technological regimes of phosphorus diffusion using a solid planar source make it possib...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543941361401856 |
|---|---|
| author | Shangereeva, B. A. |
| author_facet | Shangereeva, B. A. |
| author_sort | Shangereeva, B. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-27T16:48:59Z |
| description | The results of the development and implementation of a basic phosphorus diffusion process for the formation of the active region of a power silicon transistor are presented. It is shown that the obtained optimal technological regimes of phosphorus diffusion using a solid planar source make it possible to produce transistors with improved electrophysical characteristics. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:14Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-794 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:14Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7942026-01-27T16:48:59Z Phosphorus diffusion using a solid planar source in integrated circuit manufacturing Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем Shangereeva, B. A. phosphorus diffusion active region technological regime transistor solid planar source electrophysical characteristics диффузия фосфора, активная область технологический режим транзистор твердый планарный источник электрофизические характеристики The results of the development and implementation of a basic phosphorus diffusion process for the formation of the active region of a power silicon transistor are presented. It is shown that the obtained optimal technological regimes of phosphorus diffusion using a solid planar source make it possible to produce transistors with improved electrophysical characteristics. Рассмотрены результаты разработки и осуществления базового процесса диффузии фосфора для формирования активной области силового кремниевого транзистора. Показано, что полученные оптимальные технологические режимы процесса диффузии фосфора с применением твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 54-56 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 54-56 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54/719 Copyright (c) 2008 B. A. Shangereeva http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | диффузия фосфора, активная область технологический режим транзистор твердый планарный источник электрофизические характеристики Shangereeva, B. A. Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| title | Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| title_alt | Phosphorus diffusion using a solid planar source in integrated circuit manufacturing |
| title_full | Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| title_fullStr | Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| title_full_unstemmed | Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| title_short | Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| title_sort | диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем |
| topic | диффузия фосфора, активная область технологический режим транзистор твердый планарный источник электрофизические характеристики |
| topic_facet | phosphorus diffusion active region technological regime transistor solid planar source electrophysical characteristics диффузия фосфора, активная область технологический режим транзистор твердый планарный источник электрофизические характеристики |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54 |
| work_keys_str_mv | AT shangereevaba phosphorusdiffusionusingasolidplanarsourceinintegratedcircuitmanufacturing AT shangereevaba diffuziâfosforasprimeneniemtverdogoplanarnogoistočnikavproizvodstveintegralʹnyhshem |