Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем

• Datum: 2008
• 1. Verfasser: Shangereeva, B. A.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
• Schlagworte: диффузия фосфора,; активная область; технологический режим; транзистор; твердый планарный источник; электрофизические характеристики
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The results of the development and implementation of a basic phosphorus diffusion process for the formation of the active region of a power silicon transistor are presented. It is shown that the obtained optimal technological regimes of phosphorus diffusion using a solid planar source make it possib...