Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу
The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si sub...
Saved in:
| Date: | 2025 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2025
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543941907709952 |
|---|---|
| author | Kovalchuk, Volodymyr Popryaga, Diana Dyachok, Dmytro |
| author_facet | Kovalchuk, Volodymyr Popryaga, Diana Dyachok, Dmytro |
| author_sort | Kovalchuk, Volodymyr |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-02-07T21:02:59Z |
| description | The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si substrate significantly increases the overall sensitivity of the samples under high illumination conditions. The operating mode of such an HJ as a highly sensitive valve photocell has been determined. It has also been demonstrated that these transitions are photoelectrically active in different spectral regions. The observed effects are extensive in nature, being largely determined by the geometry and morphology of the nanocluster centers rather than by the type of atoms from which they are formed. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:14Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-796 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | English |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:14Z |
| publishDate | 2025 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7962026-02-07T21:02:59Z Film heterojunction with nanocluster subsystem for new type of photocells Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу Kovalchuk, Volodymyr Popryaga, Diana Dyachok, Dmytro heterojunction film nanocluster subsystem photocell гетероперехід плівка нанокластер підсистема фотоелемент The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si substrate significantly increases the overall sensitivity of the samples under high illumination conditions. The operating mode of such an HJ as a highly sensitive valve photocell has been determined. It has also been demonstrated that these transitions are photoelectrically active in different spectral regions. The observed effects are extensive in nature, being largely determined by the geometry and morphology of the nanocluster centers rather than by the type of atoms from which they are formed. Наведено результати досліджень та описано технологію виготовлення плівкового гетеропереходу (ГП) типу pCu2S – nSi з нанокластерною підсистемою (НКП), що формується стохастично розподіленими нанокластерними центрами на границі розділу. Показано, що атомарні нанокластери проявляють властивості, відмінні від макроскопічної речовини, та дозволяють ефективно керувати фізико-хімічними характеристиками матриці. Модифікація ГП здійснювалася імплантацією кластерного растра острівкової структури на кремнієву підкладку перед осадженням шару сульфіду міді, що забезпечує плавний профіль енергії переходу та відкриває можливості для створення фотоперетворювачів.Досліджено фотоелектричні ефекти у модифікованому ГП рCu2S – (Si-НКП) – nSi, зокрема спектральну інверсію, суперлінійні режими роботи та незвичайну люкс-амперну залежність. Встановлено, що введення НКП у базову p-область Cu2S –Si значно підвищує інтегральну чутливість при високій освітленості, а геометрія та морфологія нанокластерних центрів відіграють вирішальну роль у формуванні властивостей ГП. Показано, що збільшення розмірів НК-центрів до сотень ангстрем призводить до зникнення фотоефекту та появи інших екстенсивних ефектів.Запропоновано конструкцію фотоелемента з двома послідовно з’єднаними p–n-переходами протилежної дії, що забезпечує фотоелектричну активність у різних ділянках спектра. Отримані результати вказують на перспективність використання плівкових ГП типу рCu2S – (Si-НКП) – nSi для розв’язання задач сучасної функціональної діагностики та створення нових елементів фотоелектроніки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2025-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09 10.15222/TKEA2025.3-4.09 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2025): Technology and design in electronic equipment; 9-14 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2025): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 9-14 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2025.3-4 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09/722 Copyright (c) 2025 Volodymyr Kovalchuk, Diana Popryaga, Dmytro Dyachok http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | гетероперехід плівка нанокластер підсистема фотоелемент Kovalchuk, Volodymyr Popryaga, Diana Dyachok, Dmytro Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| title | Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| title_alt | Film heterojunction with nanocluster subsystem for new type of photocells |
| title_full | Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| title_fullStr | Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| title_full_unstemmed | Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| title_short | Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| title_sort | плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу |
| topic | гетероперехід плівка нанокластер підсистема фотоелемент |
| topic_facet | heterojunction film nanocluster subsystem photocell гетероперехід плівка нанокластер підсистема фотоелемент |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09 |
| work_keys_str_mv | AT kovalchukvolodymyr filmheterojunctionwithnanoclustersubsystemfornewtypeofphotocells AT popryagadiana filmheterojunctionwithnanoclustersubsystemfornewtypeofphotocells AT dyachokdmytro filmheterojunctionwithnanoclustersubsystemfornewtypeofphotocells AT kovalchukvolodymyr plívkovijgeteroperehídznanoklasternoûpídsistemoûdlâfotoelementívnovogotipu AT popryagadiana plívkovijgeteroperehídznanoklasternoûpídsistemoûdlâfotoelementívnovogotipu AT dyachokdmytro plívkovijgeteroperehídznanoklasternoûpídsistemoûdlâfotoelementívnovogotipu |