Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2025
• Heft: 3–4
• Сторінки: 9-14
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Volodymyr Kovalchuk — Odessa Technological University IT STEP, Ukraine — ORCID: 0000-0001-7460-8092; Diana Popryaga — South Ukrainian National Pedagogical University named after K. D. Ushynsky, Odesа, Ukraine; Dmytro Dyachok — South Ukrainian National Pedagogical University named after K. D. Ushynsky, Odesа, Ukraine
• Hauptverfasser: Kovalchuk, Volodymyr, Popryaga, Diana, Dyachok, Dmytro
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2025
• Schlagworte: гетероперехід; плівка; нанокластер; підсистема; фотоелемент
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si sub...