Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу
The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si sub...
Gespeichert in:
| Datum: | 2025 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2025
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |