Зображення обкладинки

Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу

The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si sub...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2025
Випуск:3–4
Сторінки:9-14
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • Volodymyr Kovalchuk — Odessa Technological University IT STEP, Ukraine — ORCID: 0000-0001-7460-8092
  • Diana Popryaga — South Ukrainian National Pedagogical University named after K. D. Ushynsky, Odesа, Ukraine
  • Dmytro Dyachok — South Ukrainian National Pedagogical University named after K. D. Ushynsky, Odesа, Ukraine
Автори: Kovalchuk, Volodymyr, Popryaga, Diana, Dyachok, Dmytro
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2025
Теми:
гетероперехід
плівка
нанокластер
підсистема
фотоелемент
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Схожі ресурси