Плівковий гетероперехід з нанокластерною підсистемою для фотоелементів нового типу

The paper describes the manufacturing technology and presents the results of studies of a pCu2S–nSi heterojunction (HJ) and an HJ based on it, containing a nanocluster (NC) subsystem. It is shown that the presence of an NC subsystem at the interface between the p-type Cu2S film and the n-type Si sub...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2025
Hauptverfasser: Kovalchuk, Volodymyr, Popryaga, Diana, Dyachok, Dmytro
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2025
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.3-4.09
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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