Моделювання фотодіодної структури на основі гетеропереходу ZnO/Si

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2026
• Випуск: 1
• Сторінки: 17-31
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Ihor Virt — Ivan Franko State Pedagogical University of Drogobych, Ukraine — ORCID: 0000-0001-7200-6055; Ivan Padalka — Ivan Franko State Pedagogical University of Drogobych, Ukraine
• Автори: Virt, Ihor, Padalka, Ivan
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
• Теми: фотоелемент; фотодетектор; числове моделювання; матеріал електронного транспорту (ЕТM); ZnO; гетероструктура; програма SCAPS-1D
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2026.1.17
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

In this work, a self-powered photodetector based on a bulk ZnO/Si p–n heterojunction is numerically investigated and analyzed using the Solar Cell Capacitance Simulator in One Dimension (SCAPS-1D). The energy band diagram, electron-hole generation and recombination rates, current-voltage (J–V) characteristics, spectral photosensitivity response, and specific detectivity are examined. To optimize photodetector performance, the effects of absorber layer thickness, shallow acceptor and donor ­densities, and defect density were systematically studied. Various electron transport parameters of ZnO were also considered. The responsivity and specific detectivity of the simulated photodetector are 0.23 A/W and 1.1·1010 Jones, respectively.