Моделювання фотодіодної структури на основі гетеропереходу ZnO/Si

• Дата: 2026
• Автори: Virt, Ihor, Padalka, Ivan
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
• Теми: фотоелемент; фотодетектор; числове моделювання; матеріал електронного транспорту (ЕТM); ZnO; гетероструктура; програма SCAPS-1D
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2026.1.17
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

In this work, a self-powered photodetector based on a bulk ZnO/Si p–n heterojunction is numerically investigated and analyzed using the Solar Cell Capacitance Simulator in One Dimension (SCAPS-1D). The energy band diagram, electron-hole generation and recombination rates, current-voltage (J–V) chara...