Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal–semiconductor field-effect transistor corresponds, with good accuracy, to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance–voltage characteristic. A method is proposed for predicting the threshold voltage of ion-...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Павлюченко, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Павлюченко, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов: теория, технология, практика
за авторством: Дзядевич, С.В.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Дзядевич, С.В.
Опубліковано: (2004)
ГАРМОНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВЕЛИЧИН ТРЕХФАЗНОЙ ОБМОТКИ СТАТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА НА ОСНОВЕ КЛАССИЧЕСКИХ И ЧИСЛЕННО-ПОЛЕВЫХ МЕТОДОВ
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Филинюк, Н.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Филинюк, Н.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Кукла, А.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кукла, А.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Протеолитический биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов. 2. Характеристика работы в модельных условиях
за авторством: Белоиван, О.А., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Белоиван, О.А., та інші
Опубліковано: (1996)
УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
за авторством: Говоров, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Говоров, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Применение ферментного сенсора на основе рН-чувствительных полевых транзисторов для определения концентрации глюкозы в соке картофеля
за авторством: Скрышевская, И.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Скрышевская, И.В., та інші
Опубліковано: (2003)