Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This c...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
НЕВУЗЛОВІ ПАРАМЕТРИ І АДЕКВАТНІ МОДЕЛІ СЕРЕНДИПОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012)
О немонотонной зависимости критической температуры сверхпроводящего перехода от концентрации носителей в фуллерите C₆₀
von: Локтев, В.М.
Veröffentlicht: (2001)
von: Локтев, В.М.
Veröffentlicht: (2001)
ВПЛИВ ІНОКУЛЯНТІВ І ПЕСТИЦИДІВ НА РОЗВИТОК БОБОВО-РИЗОБІАЛЬНОГО СИМБІОЗУ ТА ПРОДУКТИВНІСТЬ ЗЕРНОБОБОВИХ РОСЛИН
von: Сафронова , Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Сафронова , Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Математична модель процесу витіснення в багатокомпонентної системі з проміжним «агентом»
von: Положаєнко, Сергій Анатолійович, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Положаєнко, Сергій Анатолійович, et al.
Veröffentlicht: (2014)
ЗАДАЧА ОПТИМАЛЬНОГО УПРАВЛІННЯ ДЛЯ СИСТЕМ З ІМПУЛЬСНИМИ ВЗАЄМОДІЯМИ ПРИ НЕЛОКАЛЬНИХ КРАЄВИХ УМОВАХ
von: Шарифов, Ягуб Амияр
Veröffentlicht: (2012)
von: Шарифов, Ягуб Амияр
Veröffentlicht: (2012)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Perevertaylo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Perevertaylo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Динамическая неустойчивость обтекателей ракет-носителей в полете
von: Чернобрывко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Чернобрывко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Рекомбинация зарядовых носителей в криокристаллах неона с примесью кислорода
von: Белов, А.Г.
Veröffentlicht: (1999)
von: Белов, А.Г.
Veröffentlicht: (1999)
Проблемы и пути создания объемных оптиеских голографических носителей информации
von: Беляк, Е.В.
Veröffentlicht: (2004)
von: Беляк, Е.В.
Veröffentlicht: (2004)
Снижение антистрессовыми препаратами нервнопаралитического действия высокой концентрации аммония на рыб
von: Потрохов, А.С.
Veröffentlicht: (2008)
von: Потрохов, А.С.
Veröffentlicht: (2008)
Восстановление трехмерно-неоднородной структуры электронной концентрации ионосферы методом частотно-углового зондирования
von: Галушко, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Галушко, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Возбуждение колебаний концентрации и температуры вибрирующими телами в сверхтекучем растворе ³He–⁴He
von: Вихтинская, Т.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Вихтинская, Т.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследования зон концентрации напряжений при циклическом нагружении с использованием тепловизионного метода контроля
von: Мирсаяпов, И.Т.
Veröffentlicht: (2009)
von: Мирсаяпов, И.Т.
Veröffentlicht: (2009)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Выбор проектных параметров и программ управления на начальном этапе проектирования ракет-носителей
von: Сенькин, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Сенькин, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Определение концентрации взвеси по эффективной длине волны восходящего излучения применительно к спутниковым данным
von: Маньковская, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Маньковская, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Георадарный метод обнаружения водонасыщенных слоев грунта с оценкой их объемной влажности
von: Сугак, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Сугак, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
von: Богословский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Богословский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Опыт аналитического изоэлектрофокусирования в сверхтонких блоках полиакриламидного геля с применением алмалитов — амфолитов-носителей
von: Шурхал, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1986)
von: Шурхал, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1986)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ускорение обнажения подрабатываемого массива как феномен динамики смещений слагающих его породных слоев
von: Борзых, А.Ф.
Veröffentlicht: (2012)
von: Борзых, А.Ф.
Veröffentlicht: (2012)
Изменения характеристик верхних слоев атмосферы Юпитера по данным наблюдений интегрального диска планеты
von: Овсак, А.С.
Veröffentlicht: (2015)
von: Овсак, А.С.
Veröffentlicht: (2015)
К теории 2D сверхпроводимости при произвольной плотности носителей и косвенном взаимодействии между ними
von: Локтев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Локтев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Ähnliche Einträge
-
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
НЕВУЗЛОВІ ПАРАМЕТРИ І АДЕКВАТНІ МОДЕЛІ СЕРЕНДИПОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
О немонотонной зависимости критической температуры сверхпроводящего перехода от концентрации носителей в фуллерите C₆₀
von: Локтев, В.М.
Veröffentlicht: (2001) -
ВПЛИВ ІНОКУЛЯНТІВ І ПЕСТИЦИДІВ НА РОЗВИТОК БОБОВО-РИЗОБІАЛЬНОГО СИМБІОЗУ ТА ПРОДУКТИВНІСТЬ ЗЕРНОБОБОВИХ РОСЛИН
von: Сафронова , Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)