Buchumschlag

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

A piston-type device for liquid-phase epitaxy of AIIIBV semiconductor compounds has been modified. The possibility of controlling the impurity concentration gradient, which creates internal electric fields in the photodetecting and active regions of semiconductor structures, is demonstrated. This c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	жидкостная эпитаксия полупроводники AIII–BV поршневое устройство градиент концентрации примесей внутренние электрические поля
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

НЕВУЗЛОВІ ПАРАМЕТРИ І АДЕКВАТНІ МОДЕЛІ СЕРЕНДИПОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

СПОСОБИ ЛОКАЛІЗАЦІЇ І ІДЕНТИФІКАЦІЇ ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПРИСТРОЇВ В ЗАДАЧАХ ДІАГНОСТИКИ
von: Верлань, Андрей Анатольевич
Veröffentlicht: (2012)

КЛАСТЕР ХАОТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
von: Жуйков , В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Koval’chuk, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ВПЛИВ ІНОКУЛЯНТІВ І ПЕСТИЦИДІВ НА РОЗВИТОК БОБОВО-РИЗОБІАЛЬНОГО СИМБІОЗУ ТА ПРОДУКТИВНІСТЬ ЗЕРНОБОБОВИХ РОСЛИН
von: Сафронова , Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Умножитель/делитель с повышенным быстродействием
von: Sinegub, N. I.
Veröffentlicht: (2009)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
von: Жук, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле
von: Prudyus, I. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Алгоритмическая фильтрация помех методом α-усеченного среднего в устройствах преобразования «угол–код»
von: Gordiyenko, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Математична модель процесу витіснення в багатокомпонентної системі з проміжним «агентом»
von: Положаєнко, Сергій Анатолійович, et al.
Veröffentlicht: (2014)

К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ЗАДАЧА ОПТИМАЛЬНОГО УПРАВЛІННЯ ДЛЯ СИСТЕМ З ІМПУЛЬСНИМИ ВЗАЄМОДІЯМИ ПРИ НЕЛОКАЛЬНИХ КРАЄВИХ УМОВАХ
von: Шарифов, Ягуб Амияр
Veröffentlicht: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

О толщине прослойки жидкого металла под дугой при наплавке под флюсом
von: Размышляев, А.Д.
Veröffentlicht: (2003)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Прогнозирование показателей надежности двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства в режиме ΔTmax
von: Zaykov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Технологические возможности использования всего поля допусков по толщине при горячей прокатке полос
von: Путноки, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование показателей надежности двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства в режиме Q0max
von: Zaykov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ГАРМОНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВЕЛИЧИН ТРЕХФАЗНОЙ ОБМОТКИ СТАТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА НА ОСНОВЕ КЛАССИЧЕСКИХ И ЧИСЛЕННО-ПОЛЕВЫХ МЕТОДОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)