Buchumschlag

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа

The design and technological features of silicon Schottky diodes assembled in glass packages, as well as their electrical properties, are discussed. These devices require thermal stability of the chips up to 650 °C. It is shown that a V/n-Si Schottky barrier with a height of 0.654 V meets these tech...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Baranov, V. V., Solovyev, Ya. A., Koshkarov, G. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	барьеры Шоттки высокотемпературный микромонтаж электрические свойства приборов
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Нелинейный анализ смесителей миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки
von: Подъячий, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
von: Hadzaman, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Компьютерная система отбора кремниевых диодов для генераторов случайных числовых последовательностей
von: Baranouski, А. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
von: Автомонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
von: Еру, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2010)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Управление контурным КПД не p-видных магнетронов внесением неоднородностей в колебательную систему
von: Фурсова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Твердотельный СВЧ генератор на основе волноводно-коаксиального резонатора
von: Макеев, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Компьютерная система отбора кремниевых диодов для генераторов случайных числовых последовательностей
von: Барановский, О.К., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

СПОСОБИ ЛОКАЛІЗАЦІЇ І ІДЕНТИФІКАЦІЇ ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПРИСТРОЇВ В ЗАДАЧАХ ДІАГНОСТИКИ
von: Верлань, Андрей Анатольевич
Veröffentlicht: (2012)

КЛАСТЕР ХАОТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
von: Жуйков , В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Защитные тонкопленочные многослойные экраны от рентгеновского и гамма-излучения
von: Белоус, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Koval’chuk, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах
von: Долгополов, В.Т.
Veröffentlicht: (2007)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Ivanchykou, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние высокотемпературного отжига на структуру и механические свойства вакуумно-дуговых покрытий из Мо/(Ti + 6 % (по массе) Si)N
von: Береснев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Закономерности деградации светоизлучающих диодов
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)