Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
The formation of a tellurium film on the surface of a CdTe crystal under ruby laser pulse irradiation has been investigated. A method for fabricating a Te–CdTe structure with electronic switching and memory properties is also presented.
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | Baidullaeva, А., Borshch, V. V., Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Dauletmuratov, B. K., Levytskyi, S. N., Mozol', P. E. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.40 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Розробка та моделювання високоточного MPPT-контролера для тонкоплівкових сонячних елементів
за авторством: Fedenko, Vitalii, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Fedenko, Vitalii, та інші
Опубліковано: (2025)
Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
за авторством: Olikh, Ya. M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Olikh, Ya. M., та інші
Опубліковано: (2019)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
Гальваномагнитные микродатчики положения на базе германиевого микропровода
за авторством: Aleinikov, E. A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Aleinikov, E. A., та інші
Опубліковано: (2006)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Rotner, S. M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rotner, S. M., та інші
Опубліковано: (2006)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Vakiv, N. M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, N. M.
Опубліковано: (2010)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
за авторством: Semikina, T. V.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Semikina, T. V.
Опубліковано: (2018)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
Ядерні g-фактори ізомерних станів ізотопів 117Te, 119Te, 121Te та 126Те: порівняння з розрахунками в рамках квазичастинково-фононної моделі
за авторством: Levon, A.I., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Levon, A.I., та інші
Опубліковано: (2025)
ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2010)
Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах
за авторством: Кулик, И.И., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Кулик, И.И., та інші
Опубліковано: (1995)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
за авторством: Vorob'ev, A. V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vorob'ev, A. V., та інші
Опубліковано: (2014)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Гомеоморфизмы с трансмутационным свойством относительно взвешенной свертки
за авторством: Волчков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Волчков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
О банаховых пространствах с супер аппроксимационным свойством
за авторством: Токарев, Е.В.
Опубліковано: (1986)
за авторством: Токарев, Е.В.
Опубліковано: (1986)
Схожі ресурси
-
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007) -
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016) -
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013) -
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011) -
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)