Buchumschlag

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью

The formation of a tellurium film on the surface of a CdTe crystal under ruby laser pulse irradiation has been investigated. A method for fabricating a Te–CdTe structure with electronic switching and memory properties is also presented.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Baidullaeva, А., Borshch, V. V., Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Dauletmuratov, B. K., Levytskyi, S. N., Mozol', P. E.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	CdTe пленка теллура переключающий элемент с памятью
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.40
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
von: Pavluchenko, Alexey, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Розробка та моделювання високоточного MPPT-контролера для тонкоплівкових сонячних елементів
von: Fedenko, Vitalii, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
von: Olikh, Ya. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
von: Iskender-zade, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Rotner, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Гальваномагнитные микродатчики положения на базе германиевого микропровода
von: Aleinikov, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)

Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
von: Semikina, T. V.
Veröffentlicht: (2018)

Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Ядерні g-фактори ізомерних станів ізотопів 117Te, 119Te, 121Te та 126Те: порівняння з розрахунками в рамках квазичастинково-фононної моделі
von: Levon, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах
von: Кулик, И.И., et al.
Veröffentlicht: (1995)

ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2010)