Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
The formation of a tellurium film on the surface of a CdTe crystal under ruby laser pulse irradiation has been investigated. A method for fabricating a Te–CdTe structure with electronic switching and memory properties is also presented.
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Baidullaeva, А., Borshch, V. V., Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Dauletmuratov, B. K., Levytskyi, S. N., Mozol', P. E. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.40 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
von: Pavluchenko, Alexey, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Pavluchenko, Alexey, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Розробка та моделювання високоточного MPPT-контролера для тонкоплівкових сонячних елементів
von: Fedenko, Vitalii, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Fedenko, Vitalii, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)
Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010)
ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Гомеоморфизмы с трансмутационным свойством относительно взвешенной свертки
von: Волчков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Волчков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
О банаховых пространствах с супер аппроксимационным свойством
von: Токарев, Е.В.
Veröffentlicht: (1986)
von: Токарев, Е.В.
Veröffentlicht: (1986)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Искендер-заде, З.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Пример поворотно-конформного отображения псевдосферы со свойством взаимности
von: Кожухарь, Д.В.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кожухарь, Д.В.
Veröffentlicht: (2009)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2009)
ИССЛЕДОВАНИЕ RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ИНДУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2011)
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2011)
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Об исключении переключения при отказе датчика в системе управления боковым движением квадрокоптера
von: Ларин, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Ларин, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Фазові рівноваги в системі Tl₂Те—SnТе—PbTe
von: Філеп, М.Й., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Філеп, М.Й., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ähnliche Einträge
-
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)