Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
FeIn2Se4 crystals with a layered structure and magnetic component were grown by the Bridgman method. Heterojunctions of type n-InSe–p-FeIn₂Se₄ were fabricated. From the capacitance–voltage characteristics, the potential barrier height of the heterojunctions was determined. Current–voltage character...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859600911438970880 |
|---|---|
| author | Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Netyaga, V. V. Zaslonkin, V. A. |
| author_facet | Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Netyaga, V. V. Zaslonkin, V. A. |
| author_sort | Kovalyuk, Z. D. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-13T10:31:40Z |
| description |
FeIn2Se4 crystals with a layered structure and magnetic component were grown by the Bridgman method. Heterojunctions of type n-InSe–p-FeIn₂Se₄ were fabricated. From the capacitance–voltage characteristics, the potential barrier height of the heterojunctions was determined. Current–voltage characteristics and the temperature dependences of their forward branches were measured, and the diode factor was evaluated. The series resistance of the heterojunctions governs the frequency dependence of the capacitance–voltage characteristics and suppresses the exponential increase of current with voltage. The photoresponse spectrum of the heterojunctions exhibits only a long-wave threshold at 1.25 eV and extends into the ultraviolet region, accompanied by an increase in the quantum efficiency of the photocurrent.
|
| first_indexed | 2026-03-14T02:00:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-825 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-14T02:00:27Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8252026-03-13T10:31:40Z Heterojunction based on FeIn₂Se₄ crystal grown by the Bridgman method Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Netyaga, V. V. Zaslonkin, V. A. FeIn₂Se₄ InSe heterojunction photoelectric parameters FeIn₂Se₄ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры FeIn2Se4 crystals with a layered structure and magnetic component were grown by the Bridgman method. Heterojunctions of type n-InSe–p-FeIn₂Se₄ were fabricated. From the capacitance–voltage characteristics, the potential barrier height of the heterojunctions was determined. Current–voltage characteristics and the temperature dependences of their forward branches were measured, and the diode factor was evaluated. The series resistance of the heterojunctions governs the frequency dependence of the capacitance–voltage characteristics and suppresses the exponential increase of current with voltage. The photoresponse spectrum of the heterojunctions exhibits only a long-wave threshold at 1.25 eV and extends into the ultraviolet region, accompanied by an increase in the quantum efficiency of the photocurrent. Методом Бриджмена выращены кристаллы FeIn2Se4, имеющие слоистую структуру и магнитную компоненту. Созданы гетеропереходы (ГП) n-InSe-p-FeIn2Se4. Из ВФХ ГП определена величина потенциального барьера, измерены ВАХ и температурные зависимости прямых ветвей ВАХ, а также определен диодный коэффициент ВАХ. Последовательное сопротивление ГП определяет частотную зависимость ВФХ и уменьшает экспоненциальный рост тока с напряжением. Спектр фоточувствительности ГП имеет только длинноволновый порог при 1,25 эВ и простирается в ультрафиолетовую область с возрастанием квантовой эффективности фототока. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-10-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 43-45 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 43-45 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43/747 Copyright (c) 2007 Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M., Netyaga V. V., Zaslonkin V. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | FeIn₂Se₄ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Netyaga, V. V. Zaslonkin, V. A. Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_alt | Heterojunction based on FeIn₂Se₄ crystal grown by the Bridgman method |
| title_full | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_fullStr | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_full_unstemmed | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_short | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_sort | гетеропереход на основе кристалла fein₂se₄, полученного методом бриджмена |
| topic | FeIn₂Se₄ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры |
| topic_facet | FeIn₂Se₄ InSe heterojunction photoelectric parameters FeIn₂Se₄ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43 |
| work_keys_str_mv | AT kovalyukzd heterojunctionbasedonfein2se4crystalgrownbythebridgmanmethod AT katerynchukvm heterojunctionbasedonfein2se4crystalgrownbythebridgmanmethod AT netyagavv heterojunctionbasedonfein2se4crystalgrownbythebridgmanmethod AT zaslonkinva heterojunctionbasedonfein2se4crystalgrownbythebridgmanmethod AT kovalyukzd geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT katerynchukvm geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT netyagavv geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT zaslonkinva geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena |