Buchumschlag

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена

FeIn2Se4 crystals with a layered structure and magnetic component were grown by the Bridgman method. Heterojunctions of type n-InSe–p-FeIn₂Se₄ were fabricated. From the capacitance–voltage characteristics, the potential barrier height of the heterojunctions was determined. Current–voltage character...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	FeIn₂Se₄ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
von: Kushnir, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
von: Boledzyuk, V.B., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники.
von: Dunaenko, A. Kh., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Характеристика наноструктурованих включень In6Se7 у шаруватих кристалах α-In2Se3 аналітичними методами рентгенівської дифрактометрії
von: Drapak, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
von: Degoda, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Технология изготовления термоэлектрических модулей Пельтье повышенной надежности
von: Dobrovolsky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: V. M. Katerynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
von: Kaminskii, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)