Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
FeIn2Se4 crystals with a layered structure and magnetic component were grown by the Bridgman method. Heterojunctions of type n-InSe–p-FeIn₂Se₄ were fabricated. From the capacitance–voltage characteristics, the potential barrier height of the heterojunctions was determined. Current–voltage character...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
за авторством: Rusetskii, I. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Rusetskii, I. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ГРАНУЛИРОВАННОЙ ТОКОПРОВОДЯЩЕЙ СРЕДЫ
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Автоматизированная диагностика химических источников тока
за авторством: Dzenzerskiy, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dzenzerskiy, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Falz-Fein family's parks. Their contribution to the landscape architecture of Northern Black Sea area
за авторством: B. C. Havrylenko, та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: B. C. Havrylenko, та інші
Опубліковано: (2000)
Способи та методи зміни морфології залізовмісних фаз у силумінах: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.30-41
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)
Исследование метрологических характеристик системы измерения малых изменений температуры
за авторством: Samynina, M. G., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Samynina, M. G., та інші
Опубліковано: (2014)
Цитотоксична активність магнітокерованих нанокомпозитів на основі доксорубіцину на прикладі клітин Saccharomyces Cerevisiae
за авторством: Turanska, S. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Turanska, S. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Двухатомная модель квантового кристалла
за авторством: Полуэктов, Ю.М.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Полуэктов, Ю.М.
Опубліковано: (2008)
Обзор методов расчета напряженного состояния диска, сжимаемого между плоскими наковальнями Бриджмена
за авторством: Виноградов, С.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Виноградов, С.А.
Опубліковано: (2015)
Анализ результатов сжатия дисков плоскими наковальнями бриджмена в рамках безразмерного анализа
за авторством: Виноградов, С.А.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Виноградов, С.А.
Опубліковано: (2011)
НЕЛИНЕЙНО-ПАРАМЕТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ДЛЯ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ИЗМЕНЕНИЙ ПРИЛОЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Шидловская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Шидловская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2014)
О структуре конвективных течений в установке кристаллизации Бриджмена при больших числах Грассгофа
за авторством: Ладиков, Ю.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ладиков, Ю.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Термодинамика одномерного обобщенного вигнеровского кристалла
за авторством: Славин, В.В.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Славин, В.В.
Опубліковано: (2003)
Схожі ресурси
-
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009) -
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010) -
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
за авторством: Rusetskii, I. A., та інші
Опубліковано: (2016)