Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов

A comparative analysis of the advantages and disadvantages of two technologies for fabricating readout circuits for infrared photodiodes has been carried out: complementary MOS (CMOS) technology and charge-coupled device (CCD) technology based on n-channel MOS structures. Parameters of experimental...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Reva, V. Р., Korinetz, S. V., Pysarenko, L. A., Dukhnin, S. E., Barsukova, N. A.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.46
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment