Buchumschlag

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC

An interference temperature sensor has been developed using nanocrystalline films of cubic silicon carbide deposited directly by ion flow onto a leucosapphire substrate. The optical properties and thermal sensitivity of the “nanocrystalline SiC film/leucosapphire” structures have been measured and a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Lopin, A. V., Semenov, A. V., Puzikov, V. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	волоконно-оптические датчики температуры нанокристаллические пленки карбида кремния прямое ионное осаждение интерферометр Фабри-Перо
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.4.19
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Датчик углекислого газа на основе пленки поликристаллического кремния
von: Агаев, Ф.Г.
Veröffentlicht: (2001)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Волоконно-оптические демультиплексоры с повышенной стойкостью к механическим воздействиям
von: Dementyev, S. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Дистанционный оптико-электронный датчик с растровой решеткой
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Dement’ev, S. G., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оптический отклик на сверхпроводящий переход в ИК отражении и пропускании YBaCuO
von: Свищев, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Криогенно-оптический датчик для высокочувствительных гравитационных измерений
von: Козорез, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Электрооптические модуляторы и фильтры на основе кольцевых микрорезонаторов для волоконно-оптических систем связи
von: Berikashvily, V. Sh., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Датчики ускорений на базе микромеханики и микроэлектроники
von: Голуб, В.С.
Veröffentlicht: (2001)

Преобразование низкочастотных флуктуаций электропроводности в датчиках с нелинейной ВАХ
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления
von: Адарчин, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок
von: Клюканов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений
von: Гусейнов, Я.Ю.
Veröffentlicht: (2001)

Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
von: Плавинский, Е.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Методы уменьшения температурной погрешности датчиков давления
von: Васильев, В.А.
Veröffentlicht: (2002)

Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС
von: Лепих, Я.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование механических напряжений в эпитаксиальных датчиках Холла различной конфигурации
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование топологических особенностей поверхности HFCVD нанокристаллической алмазной пленки сканирующим туннельным микроскопом с алмазным острием
von: Цысарь, М.А.
Veröffentlicht: (2012)

Волоконно-оптичний датчик для контролю параметрів повітряних ліній електропередачі
von: Лежнюк, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Новое поколение пьезокерамических датчиков физических величин
von: Шарапов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Двухволновой сенсор дистанционной селекции естественных поверхностей
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование возможности создания газоанализатора с транзисторным чувствительным элементом
von: Муршудли, М.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

О нанокристаллической структуре металлического расплава
von: Карасевский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оптическое поглощение пленок BiSrCaCuO
von: Окунев, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Современное состояние оптической спектроскопии ВТСП
von: Фуголь, И.Я., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Электронно-структурная релаксация пленок YBfCuO в нормальном и сверхпроводящем состояниях
von: Самоваров, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)