Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
Due to the physical properties of MoN and ITO thin films, it was decided to create MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterostructures and investigate their electrical and photoelectric properties. The method of reactive magnetron sputtering was used to create thin MoN and ITO films on single crystal CdTe su...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | Kovaliuk, Taras, Solovan, Mykhaylo, Maryanchuk, Pavlo |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.33 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Composition, structure and tribotechnical properties of TiN, MoN single-layer and TiN/MoN multilayer coatings
за авторством: O. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
Состав, структура и триботехнические свойства вакуумно-дуговых однослойных TiN, MoN и многослойных TiN/MoN покрытий
за авторством: Бондар, О.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Бондар, О.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Пархоменко, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Пархоменко, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Photoelectrical analysis of n-TiO₂/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: Brus, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Brus, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние толщины периода многослойного покрытия MoN/CrN на физико-механические характеристики
за авторством: Столбовой, В.А.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Столбовой, В.А.
Опубліковано: (2016)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
за авторством: Mirsagatov, Sh.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Mirsagatov, Sh.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021) -
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021) -
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016) -
Composition, structure and tribotechnical properties of TiN, MoN single-layer and TiN/MoN multilayer coatings
за авторством: O. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015) -
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)