Buchumschlag

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵

A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	устройство способ структура режим эпитаксия гетерослой
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Yermolenko, Ye. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
von: Ермоленко , Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
von: Socheslav, D. P.
Veröffentlicht: (2011)

Оптимизация комплексного показателя надежности радиотехнических устройств путем изменения их топологии
von: Uvarov, B. M., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)

Производство оптоволоконных материалов и полупроводниковых соединений на Украине
von: Трубицын, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
von: Юзефович, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Умножитель/делитель с повышенным быстродействием
von: Sinegub, N. I.
Veröffentlicht: (2009)

УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
von: Жук, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле
von: Prudyus, I. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ИНФОРМАЦИОННО–ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДЛЯ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МЕТАЛЛОИЗДЕЛИЙ УЛЬТРАЗВУКОВЫМИ ВОЛНАМИ РЭЛЕЯ
von: Мигущенко, Р.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Способ повышения сопротивляемости локальным повреждениям cварных соединений трубопроводов АЭС
von: Касаткин, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Алгоритмическая фильтрация помех методом α-усеченного среднего в устройствах преобразования «угол–код»
von: Gordiyenko, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Комбинированный алгоритм полетной геометрической калибровки по неизвестным маркерам
von: Ткаченко, А.И.
Veröffentlicht: (2019)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комплексный способ очистки жидких радиоактивных отходов от органических соединений и радионуклидов
von: Руденко, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵
von: Karimov, A. V.
Veröffentlicht: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Перспективность выращивания амаранта в условиях Беларуси
von: Алексеева, Е.И.
Veröffentlicht: (2009)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

КОМБИНИРОВАННЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИМПЕДАНСА В ТЕРМОМЕТРИЧЕСКИХ МОСТАХ С ВАРИАЦИОННЫМ УРАВНОВЕШИВАНИЕМ
von: Михаль , А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)