Зображення обкладинки

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵

A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and th...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:	устройство способ структура режим эпитаксия гетерослой
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Комбинированный способ плазменной и дуговой сварки разнополярными импульсами тока («гидра-процесс»)
за авторством: Воропай, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
за авторством: Socheslav, D. P.
Опубліковано: (2011)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптимизация комплексного показателя надежности радиотехнических устройств путем изменения их топологии
за авторством: Uvarov, B. M., та інші
Опубліковано: (2015)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Производство оптоволоконных материалов и полупроводниковых соединений на Украине
за авторством: Трубицын, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)

Умножитель/делитель с повышенным быстродействием
за авторством: Sinegub, N. I.
Опубліковано: (2009)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
за авторством: Юзефович, О.И., та інші
Опубліковано: (2008)

УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
за авторством: Жук, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)

Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле
за авторством: Prudyus, I. N., та інші
Опубліковано: (2010)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Алгоритмическая фильтрация помех методом α-усеченного среднего в устройствах преобразования «угол–код»
за авторством: Gordiyenko, V. I., та інші
Опубліковано: (2009)

Комбинированный алгоритм полетной геометрической калибровки по неизвестным маркерам
за авторством: Ткаченко, А.И.
Опубліковано: (2019)

ИНФОРМАЦИОННО–ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДЛЯ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МЕТАЛЛОИЗДЕЛИЙ УЛЬТРАЗВУКОВЫМИ ВОЛНАМИ РЭЛЕЯ
за авторством: Мигущенко, Р.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
за авторством: Aleksandrov, S. B., та інші
Опубліковано: (2011)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)

Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵
за авторством: Karimov, A. V.
Опубліковано: (2007)

Способ повышения сопротивляемости локальным повреждениям cварных соединений трубопроводов АЭС
за авторством: Касаткин, О.Г., та інші
Опубліковано: (2007)