Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and th...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Rogov, R. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Rogov, R. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Комбинированный диффузионный способ соединения биметаллических элементов теплообменной системы
за авторством: Хохлова, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Хохлова, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)
Комбинированный способ плазменной и дуговой сварки разнополярными импульсами тока («гидра-процесс»)
за авторством: Воропай, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Воропай, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
за авторством: Socheslav, D. P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Socheslav, D. P.
Опубліковано: (2011)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Voronin, V. O., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Voronin, V. O., та інші
Опубліковано: (2006)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Оптимизация комплексного показателя надежности радиотехнических устройств путем изменения их топологии
за авторством: Uvarov, B. M., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Uvarov, B. M., та інші
Опубліковано: (2015)
Умножитель/делитель с повышенным быстродействием
за авторством: Sinegub, N. I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sinegub, N. I.
Опубліковано: (2009)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
за авторством: Жук, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Жук, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)
Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле
за авторством: Prudyus, I. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Prudyus, I. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Конденсор тепловой трубы на основе лазерного рефрижератора
за авторством: Mekhantsev, E. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Mekhantsev, E. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Алгоритмическая фильтрация помех методом α-усеченного среднего в устройствах преобразования «угол–код»
за авторством: Gordiyenko, V. I., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gordiyenko, V. I., та інші
Опубліковано: (2009)