Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
Gunn diodes made of GaAs with a cathode contact AuGe–TiB2–Au that injects hot electrons have been developed. The Gunn diodes operate in the frequency range from 17.44 to 78.0 GHz with efficiencies from 8% to 4%, respectively. Based on the Gunn diode, a generator with electronic frequency tuning in t...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.29 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Горячие электроны в наноконтактах
von: Кулинич, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Кулинич, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Obukhov, I. A.
Veröffentlicht: (2007)
von: Obukhov, I. A.
Veröffentlicht: (2007)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Горячие электроны в металлических пленках при низких температурах
von: Шкловский, В.А.
Veröffentlicht: (2018)
von: Шкловский, В.А.
Veröffentlicht: (2018)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)
Измерение параметров электронного пучка в циклических ускорителях с помощью электростатических датчиков
von: Зелинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Зелинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Применение конформного отображения для моделирования плоских полей, создаваемых гладкими полюсами
von: Мыцыков, А.О.
Veröffentlicht: (1999)
von: Мыцыков, А.О.
Veröffentlicht: (1999)
Исследование генерации электронных пучков в магнетронных пушках с холодными вторично–эмиссионными катодами
von: Закутин, В.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Закутин, В.В.
Veröffentlicht: (1999)
Разработка ВЧ-систем для электронных накопителей
von: Андросов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Андросов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Исследование генерации электронных пучков в миниатюрных магнетронных пушках с вторично–эмиссионным катодом с внешним запуском
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Исследования и разработки резонансных СВЧ-систем для сверхпроводящих и сильноточных ЛУЭ
von: Злуницын, Э.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Злуницын, Э.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Разработка и исследование в ННЦ ХФТИ высокочастотных источников электронов для линейных резонансных ускорителей
von: Кушнир, В.А.
Veröffentlicht: (1999)
von: Кушнир, В.А.
Veröffentlicht: (1999)
Ондуляторное излучение в линейных резонансных ускорителях электронов высоких энергий
von: Опанасенко, А.Н.
Veröffentlicht: (1999)
von: Опанасенко, А.Н.
Veröffentlicht: (1999)
Синтез профиля полюса дипольного магнита
von: Мыцыков, А.О.
Veröffentlicht: (1999)
von: Мыцыков, А.О.
Veröffentlicht: (1999)
Реконструкция профиля полюса квадрупольной линзы
von: Мыцыков, А.О.
Veröffentlicht: (1999)
von: Мыцыков, А.О.
Veröffentlicht: (1999)
Ускорительно-накопительный комплекс для фундаментальных и прикладных исследований с использованием пучков синхротронного излучения и квазинепрерывного пучка электронов
von: Андросов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Андросов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Измерение энергии пучка заряженных частиц с помощью аксиально-секционированного цилиндра Фарадея
von: Рябка, П.М., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Рябка, П.М., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Электроны и земная цивилизация
von: Баранов, М.И.
Veröffentlicht: (2009)
von: Баранов, М.И.
Veröffentlicht: (2009)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Невзаимодействующие электроны в одномерных системах
von: Гантмахер, В.Ф.
Veröffentlicht: (2005)
von: Гантмахер, В.Ф.
Veröffentlicht: (2005)
Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
von: Kogan, L. M.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kogan, L. M.
Veröffentlicht: (2012)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)
Спектрально-угловое поперечное сечение параметрического рентгеновского излучения типа Б
von: Адейшвили, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Адейшвили, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Определение глубины плоскостного потенциала кристалла алмаза по экспериментальным данным о каналировании электронов
von: Гопыч, М.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Гопыч, М.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Исследование зависимости интенсивности когерентного поляризационного тормозного излучения (КПТИ) электронов в кристалле от энергии электронов
von: Ходячих, С.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Ходячих, С.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Об экспериментальном обнаружении эффекта подавления тормозного излучения релятивистских электронов в тонком слое вещества
von: Фомин, С.П.
Veröffentlicht: (1999)
von: Фомин, С.П.
Veröffentlicht: (1999)
Комптоновское рассеяние назад лазерного света на поляризованных электронах высоких энергий
von: Омелаенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Омелаенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Ähnliche Einträge
-
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Горячие электроны в наноконтактах
von: Кулинич, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2000)