Зображення обкладинки

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны

Gunn diodes made of GaAs with a cathode contact AuGe–TiB2–Au that injects hot electrons have been developed. The Gunn diodes operate in the frequency range from 17.44 to 78.0 GHz with efficiencies from 8% to 4%, respectively. Based on the Gunn diode, a generator with electronic frequency tuning in t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:	арсенид галлия диод Ганна инжекция горячих электронов
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.29
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Горячие электроны в наноконтактах
за авторством: Кулинич, С.И., та інші
Опубліковано: (2000)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
за авторством: Obukhov, I. A.
Опубліковано: (2007)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Горячие электроны в металлических пленках при низких температурах
за авторством: Шкловский, В.А.
Опубліковано: (2018)

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)

Измерение параметров электронного пучка в циклических ускорителях с помощью электростатических датчиков
за авторством: Зелинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (1999)

Применение конформного отображения для моделирования плоских полей, создаваемых гладкими полюсами
за авторством: Мыцыков, А.О.
Опубліковано: (1999)

Исследование генерации электронных пучков в магнетронных пушках с холодными вторично–эмиссионными катодами
за авторством: Закутин, В.В.
Опубліковано: (1999)

Разработка ВЧ-систем для электронных накопителей
за авторством: Андросов, В.П., та інші
Опубліковано: (1999)

Исследование генерации электронных пучков в миниатюрных магнетронных пушках с вторично–эмиссионным катодом с внешним запуском
за авторством: Айзацкий, Н.И., та інші
Опубліковано: (1999)

Исследования и разработки резонансных СВЧ-систем для сверхпроводящих и сильноточных ЛУЭ
за авторством: Злуницын, Э.С., та інші
Опубліковано: (1999)

Разработка и исследование в ННЦ ХФТИ высокочастотных источников электронов для линейных резонансных ускорителей
за авторством: Кушнир, В.А.
Опубліковано: (1999)

Ондуляторное излучение в линейных резонансных ускорителях электронов высоких энергий
за авторством: Опанасенко, А.Н.
Опубліковано: (1999)

Синтез профиля полюса дипольного магнита
за авторством: Мыцыков, А.О.
Опубліковано: (1999)

Реконструкция профиля полюса квадрупольной линзы
за авторством: Мыцыков, А.О.
Опубліковано: (1999)

Ускорительно-накопительный комплекс для фундаментальных и прикладных исследований с использованием пучков синхротронного излучения и квазинепрерывного пучка электронов
за авторством: Андросов, В.П., та інші
Опубліковано: (1999)

Измерение энергии пучка заряженных частиц с помощью аксиально-секционированного цилиндра Фарадея
за авторством: Рябка, П.М., та інші
Опубліковано: (1999)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Электроны и земная цивилизация
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2009)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Невзаимодействующие электроны в одномерных системах
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2005)

Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
за авторством: Kogan, L. M.
Опубліковано: (2012)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)

Спектрально-угловое поперечное сечение параметрического рентгеновского излучения типа Б
за авторством: Адейшвили, Д.И., та інші
Опубліковано: (1999)

Определение глубины плоскостного потенциала кристалла алмаза по экспериментальным данным о каналировании электронов
за авторством: Гопыч, М.П., та інші
Опубліковано: (1999)

Исследование зависимости интенсивности когерентного поляризационного тормозного излучения (КПТИ) электронов в кристалле от энергии электронов
за авторством: Ходячих, С.А., та інші
Опубліковано: (1999)

Об экспериментальном обнаружении эффекта подавления тормозного излучения релятивистских электронов в тонком слое вещества
за авторством: Фомин, С.П.
Опубліковано: (1999)

Комптоновское рассеяние назад лазерного света на поляризованных электронах высоких энергий
за авторством: Омелаенко, А.С., та інші
Опубліковано: (1999)