Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2021
• Випуск: 1–2
• Сторінки: 61-67
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Mykola Kukurudziak — Rhythm Optoelectronics Shareholding Company, Chernivtsy, Ukraine — ORCID: 0000-0002-0059-1387; Yuriy Dobrovolsky — Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsy, Ukraine
• Автори: Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
• Теми: фотодіод; кремній; імпульсна чутливість
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.61
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

P-n junction semiconductor photodetectors are widely used in various fields of science and technology, including automation and telecontrol, instrumentation equipment, tracking systems, guidance, etc. The most demanded photoelectronic devices are silicon p-i-n photodiodes (PD). Their main field of a...