Buchumschlag

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю

P-n junction semiconductor photodetectors are widely used in various fields of science and technology, including automation and telecontrol, instrumentation equipment, tracking systems, guidance, etc. The most demanded photoelectronic devices are silicon p-i-n photodiodes (PD). Their main field of a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2021
Hauptverfasser:	Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
Schlagworte:	фотодіод кремній імпульсна чутливість
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.61
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
von: Kukurudziak , Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
von: Kukurudziak, M. S.
Veröffentlicht: (2023)

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
von: Kukurudziak, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
von: Kukurudziak, M. S.
Veröffentlicht: (2023)

ТРАНЗИСТОРНИЙ РЕЗОНАНСНИЙ ІНВЕРТОР НАПРУГИ З НЧ ІМПУЛЬСНОЮ МОДУЛЯЦІЄЮ ДЛЯ УСТАНОВОК ІНДУКЦІЙНОГО НАГРІВУ
von: Герасименко, П.Ю.
Veröffentlicht: (2015)

МОДЕЛЬ РЕЗОНАНСНОГО ТРАНЗИСТОРНОГО ІНВЕРТОРА НАПРУГИ З НИЗЬКОЧАСТОТНОЮ ІМПУЛЬСНОЮ МОДУЛЯЦІЄЮ
von: Юрченко, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
von: Kshevetskyi, Oleg, et al.
Veröffentlicht: (2025)

ВИСОКОВОЛЬТНА УСТАНОВКА ІМПУЛЬСНОЮ ПОТУЖНІСТЮ 3 МВТ ДЛЯ ЗНЕЗАРАЖЕННЯ ВОДИ У ПОТОЦІ ЗА ДОПОМОГОЮ НАНОСЕКУНДНИХ РОЗРЯДІВ У ГАЗОВИХ БУЛЬКАХ
von: Бойко, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)

Розробка технології виготовлення сенсорних чипів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико-механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу
von: Данько, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

ОСОБЛИВОСТІ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМ РЕГУЛЮВАННЯ ІЗ ОДНОСТОРОННЬОЮ ТА ДВОСТОРОННЬОЮ ШИРОТНО-ІМПУЛЬСНИМИ МОДУЛЯЦІЯМИ
von: Щербак, Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2023)

ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА СИСТЕМА З ОБМОТКАМИ ТРАНСФОРМАТОРА ЗА СХЕМОЮ ПОДВІЙНОГО ТРИКУТНИКА НА БАЗІ ІНВЕРТОРІВ ІЗ СЕРЕДНЬОЮ ТОЧКОЮ В КОЛІ ЖИВЛЕННЯ ТА З БАГАТОЗОННОЮ СИНХРОННОЮ ШІМ
von: Олещук, В., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Оптимізація вмісту вуглецю і марганцю в сталі 110Г13Л: Processy litʹâ, 2020, Tom 142, №4, p.26-33
von: Локтіонов-Ремізовський, В. А., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Позиційно-чутливий кремнієвий детектор для рентгенівської дифрактометрії швидкоплинних процесів
von: Пугач, В.М.
Veröffentlicht: (2014)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)

КРИТЕРІЇ ФОРМУВАННЯ СПЕКТРАЛЬНИХ КАНАЛІВ ДЛЯ РЕАЛІЗАЦІЇ БАГАТОКАНАЛЬНИХ МЕТОДІВ ТЕРМОМЕТРІЇ ВИПРОМІНЕННЯ
von: Гоц, Наталія Євгенівна
Veröffentlicht: (2012)

ЗОНИ ЕФЕКТИВНОГО РЕГУЛЮВАННЯ НАПРУГИ ДЖЕРЕЛАМИ РОЗОСЕРЕДЖЕНОЇ ГЕНЕРАЦІЇ З ІНВЕРТОРНИМ ПРИЄДНАННЯМ У РОЗПОДІЛЬНІЙ ЕЛЕКТРИЧНІЙ МЕРЕЖІ
von: Труніна, Г.О.
Veröffentlicht: (2014)

АНАЛІЗ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПРОЦЕСІВ В КОЛІ «ОБМЕЖУВАЧ НАПРУГИ – ФІЛЬТР НИЖНІХ ЧАСТОТ» ЗА ДІЇ ВИСОКОВОЛЬТНОЇ ІМПУЛЬСНОЇ ЗАВАДИ З МЕРЕЖІ ЕЛЕКТРОЖИВЛЕННЯ
von: Павловський, В.О., et al.
Veröffentlicht: (2023)

МЕТОД КЛАСИФІКАЦІЇ ЗОБРАЖЕНЬ ПЛЯМ ЛАЗЕРНИХ ПУЧКІВ ІЗ ЗАСТОСУВАННЯМ ПАРАЛЕЛЬНО-ІЄРАРХІЧНОЇ МЕРЕЖІ ІЗ ПІДВИЩЕНОЮ ТОЧНІСТЮ
von: Тимченко, Л. І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)

Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO
von: Lipka, Volodymyr, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Гібридна згорткова мережа для оброблення медичних зображень та виявлення раку молочної залози
von: Zaychenko, Yuriy, et al.
Veröffentlicht: (2022)

ВПЛИВ ПУЛЬСАЦІЙ ІМПУЛЬСНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА НА ПОХИБКУ СЛІДКУВАННЯ ЗА ШВИДКІСТЮ БОРТОВОГО ЕЛЕКТРОПРИВОДА
von: Рослік, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2024)

АНАЛІЗ ПОКАЗНИКІВ ЕНЕРГОЕФЕКТИВНОСТІ КОРЕКТОРА КОЕФІЦІЄНТА ПОТУЖНОСТІ ПРИ РІЗНИХ СПОСОБАХ ШИРОТНО-ІМПУЛЬСНОЇ МОДУЛЯЦІЇ
von: Степенко , С.А.
Veröffentlicht: (2014)

Чутливість матриць ПЗЗ із електронним множенням
von: Sizov, F. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Створення хромової карбідосталі з підвищеною зносостійкістю
von: Шевченко, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
von: Vikulin, I. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Анализ структурно-химического состояния и классификация оксидных и металлических фаз системы кремний−кальций−барий−кислород. Сплавы силикокальцийбария. Сообщение 2
von: Белов, Б.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію
von: Karachevtseva, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Легований кремнієм високоміцний чавун та його застосування: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.20-29
von: Бубликов, В. Б., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Сингулярно збурені рівняння з імпульсною дією
von: Самойленко, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

ПІДВИЩЕННЯ СТІЙКОСТІ ДО ДІЇ ШУМІВ І ІНДУСТРІАЛЬНИХ ЗАВАД ВИСОКОЧУТЛИВИХ ВИМІРЮВАЛЬНИХ КАНАЛІВ СЕНСОРНИХ СИСТЕМ
von: Мельник, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Розв’язання задач з підвищеною точністю обчислень
von: Опанасенко, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020)

ДОСЛІДЖЕННЯ СВІТЛОДІОДНИХ ДЖЕРЕЛ СВІТЛА У ВИПАДКУ ІМПУЛЬСНОГО ЖИВЛЕННЯ
von: Андрійчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Ефективність модифікування заевтектичного силуміну дрібнокристалічною лігатурою al–р: Processy litʹâ, 2021, Tom 146, №4, p.40-47
von: Сінчук, А. В., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
von: Kutova, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Вплив температурноспричинених змін будови розплаву системи Al–Si на структуру і електричний опір сплаву в твердому стані
von: Khristenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2023)